
プログラム メモリ、データ メモリ、レジスタ、および I/O ポートは、4 GB の単一のリニア アドレス空間に編成されています。データは最下位バイト順でメモリに保存されます。ワードのアドレス指定可能な最下位バイトは最下位バイトとみなされ、アドレス指定可能な最上位バイトは最上位バイトとみなされます。このデバイスには、64 KB の容量を持つスタティック SRAM が内蔵されています。
HK32F103xCxDxE シリーズチップは、深セン漢順チップ研究開発有限公司によって開発された高性能マイクロコントローラーです。以下のモデルが含まれます。
1.HK32F103xC
HK32F103RCT6
HK32F103VCT6
2.HK32F103xD
HK32F103RDT6
HK32F103VDT6
3.HK32F103xE
HK32F103RET6
HK32F103VET6
メイン システムは次の部分で構成されます。
1. 主要なモジュール:
コード バス (D バス) とシステム バス (S バス) を備えた Cortex®-M3 コア。
ユニバーサル コントローラ DMA1 および DMA2。
2. スレーブモジュール:
内蔵フラッシュメモリ。
内蔵SRAM。
AHB Lite周辺機器。
すべての APB 周辺機器を接続するための AHB-APB ブリッジ (APB1 および APB2)。
FSMC。
これらすべてのモジュールは、マルチレベル バス アーキテクチャ AHB を介して相互接続されています。
プログラム メモリ、データ メモリ、レジスタ、および I/O ポートは、4 GB の単一のリニア アドレス空間に編成されています。データは最下位バイト順でメモリに保存されます。ワードのアドレス指定可能な最下位バイトは最下位バイトとみなされ、アドレス指定可能な最上位バイトは最上位バイトとみなされます。このデバイスには、64 KB の容量を持つスタティック SRAM が内蔵されています。バイト単位、ハーフワード (16 ビット)、またはフルワード (32 ビット) でアクセスできます。デバイスの動作電圧 (VDD) は 2.0 ~ 3.6 V です。デジタル電源に必要な内部電圧 1.2 V は、内蔵電圧レギュレータによって供給されます。メイン VDD 電源に障害が発生した場合、リアルタイム クロック (RTC) とバックアップ レジスタにはバックアップ VBAT 電源から電力が供給されます。デバイスの内部デジタル ロジックの電力は、内蔵 LDO によって供給されます。
オンチップ LDO の出力電圧はレジスタを介して調整できるため、アプリケーション シナリオに応じてソフトウェアでチップの消費電流を最適化できます。 LDO 出力電圧は、Run モードと Stop モードで個別に設定できます。