UFS組み込みメモリ
UFS組み込みメモリ

UFS組み込みメモリ

BIWIN UFS は、組み込みシステム用の次世代フラッシュ メモリ チップです。最新の eMMC 5.1 標準と比較して、UFS 速度は 3 倍高速です。さらに、UFS 2.1 の追加制御チャネルにより、安全なデータ転送が効果的に保証され、UFS 2.1 の高速化を実現する重要な要素である読み取りおよび書き込み操作中の遅延が不要になります。

uMCP組み込みメモリ

uMCP組み込みメモリ

BIWIN は、スマートフォンやその他のスマート端末向けに、UFS 3.1 と LPDDR5X を組み合わせた uMCP5 統合メモリ チップを発表します。 UFS 3.1 のシーケンシャル読み取り速度は 2100 MB/秒、シーケンシャル書き込み速度は 1800 MB/秒に達します。 LPDDR5X 周波数は 6400 Mbps に達します。メモリ容量 - 最大 256 GB + 8 GB;チップサイズはわずか11.5×13.0×1.0mm。

内蔵ePOPメモリ

内蔵ePOPメモリ

BIWIN ePOP は、MMC および LPDDR モバイル メモリとさまざまな容量オプションを 1 つのパッケージに組み合わせています。これらの製品はモバイル機器に広く使用されています。

内蔵 eMMC メモリ

内蔵 eMMC メモリ

BIWIN eMMC は、その簡潔かつ先進的な設計により、短期間で市場に投入されました。高性能コントローラーと信頼性の高い NAND フラッシュを使用しているため、データ転送効率が向上するだけでなく、高速でより安定したマルチタスク操作が実行され、Web の閲覧、アプリケーションのダウンロード、高解像度ビデオの再生、要求の厳しいゲームの実行時にスムーズなエクスペリエンスが保証されます。

eMCP組み込みメモリ

eMCP組み込みメモリ

スマートフォンで使用されるオペレーティング システム コードの量が増加するにつれて、特に Android オペレーティング システムの普及により、スマートフォンのメモリ要件がますます高くなっています。

LPDDR5メモリ

LPDDR5メモリ

LPDDR5 はマルチバンク モードをサポートし、データ転送速度が 4266 Mbps から 6400 Mbps に増加します。複数の電圧グループを動的に調整することで、エネルギー消費を 30% 削減します。

LPDDR4メモリ

LPDDR4メモリ

LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) は、低消費電力を特徴とする DDR メモリの一種です。 BIWIN 低消費電力 DDR ソリューションは、高性能から最適な価格性能比のモデルまで、幅広い RAM をカバーします。

ビウィン

BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (以下、BIWIN) は 2010 年に設立されました。同社は半導体メモリデバイスの研究開発、パッケージングとテスト、生産、販売を専門としています。主な製品は半導体メモリデバイスで、主なサービスは高度なパッケージングとテストサービスです。半導体メモリデバイスは、アプリケーションによって、組み込みメモリ、PC メモリ、産業用および車載メモリ、エンタープライズメモリ、モバイルメモリに分類されます。 「メモリはすべてをスマートにする」という使命を掲げ、同社はメモリおよびストレージ ソリューション、および高度なパッケージングおよびテスト サービスの世界有数のプロバイダーとなることを目指しています。 BIWIN は、STAR 市場の上場企業であり、STAR 50 指数に含まれており、中国国家集積回路開発基金、中国インターネット投資基金、中国科学院ベンチャー基金などの第 2 ラウンドから戦略的投資を受けています。半導体メモリデバイスの産業チェーン全体に重点を置き、統合ソリューションと製造のビジネスモデルを確立し、ストレージソリューション開発、メモリコントローラの設計、メモリのパッケージングとテスト、高度なパッケージング、およびウェハレベルのテスト、メモリテスト装置の製造。同社のメモリチップ製品は、モバイルインテリジェント端末、PC、産業用端末、データセンター、インテリジェント車両、モバイルデータストレージ、その他の情報技術分野で広く使用されています。

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