MOSFET トランジスタ - SivF160N100T
すべての製品は 100% UIS テストを受けており、RoHS に準拠しています。トレンチ構造パワートランジスタ技術を使用して製造されています。
IGBT モジュール - SivF3L150A65E2H1D
Easy2B モジュールは、高速トレンチ ゲート フィールドリード IGBT トランジスタと超高速リカバリ ダイオードを使用します。
IGBT トランジスタ -Siv006E065F52
Siv006E065F52 は、超低スイッチング損失と高いエネルギー効率を実現する高速ダイオードを備えたトレンチ ゲート IGBT トランジスタで、モーター ドライブや家電製品などのスイッチング アプリケーションに適しています。
シヴノン
Xinweineng Semiconductor は、チップ、ディスクリート デバイス、パワー モジュールなどの IGBT テクノロジー ソリューションの大手サプライヤーの 1 つです。同社は、IGBT チップ、トランジスタ、モジュールの開発と最新のパッケージング技術の設計に取り組んでいます。本社は龍華イノベーションセンター (深セン) にあり、研究およびテストセンターは香港と深センにあります。同社の中核専門家は半導体業界で 20 年以上の経験があり、技術と市場のトレンドを深く理解しています。
